اگزینوس ۲۷۰۰ با خنککنندههای تازه میآید؛ اما فناوری ۲ نانومتری سامسونگ هنوز عقبتر از TSMC است
در حالی که سامسونگ برای آمادهسازی تراشه پرچمدار بعدی خود پیش میرود، یک شایعه تازه میگوید فرایند ۲ نانومتری این شرکت هنوز از رقیب تایوانی عقبتر است. بر اساس این ادعا، گره ۲ نانومتری N2P شرکت TSMC در شاخصهای توان مصرفی، عملکرد و مساحت (PPA) وضعیت بهتری دارد. به همین دلیل سامسونگ ظاهراً همزمان با بهبود فرایند ساخت خود، روی راهکارهای تازه دفع حرارت برای اگزینوس ۲۷۰۰ هم سرمایهگذاری کرده است.
گزارش مورد بحث میگوید اگزینوس ۲۷۰۰ قرار است از دو راهکار خنککننده مهم سامسونگ بهره ببرد؛ Heat Pass Block و معماری Side By Side. هدف از این تغییرات حفظ عملکرد پایدارتر تراشه در استفادههای سنگین و در عین حال جبران ضعف احتمالی فرایند ۲ نانومتری سامسونگ عنوان شده است. در واقع، اگر راندمان فرایند ساخت به اندازه کافی بالا نباشد، کنترل بهتر گرما میتواند به تراشه کمک کند در فشار کاری طولانیمدت افت عملکرد کمتری داشته باشد.
Heat Pass Block یا HPB راهکار کاملاً تازهای برای سامسونگ نیست و پیشتر در اگزینوس ۲۶۰۰ بهکار گرفته شده بود. طبق ادعای مطرحشده در گزارش، آزمایشها نشان دادهاند این تراشه حتی توانسته عملکردی بهتر از اسنپدراگون ۸ الیت نسل ۵ داشته باشد؛ آن هم در شرایطی که تراشه کوالکام با نیتروژن مایع خنک شده بود. حالا سامسونگ میخواهد در نسل بعدی، معماری Side By Side یا SBS را هم به مجموعه راهکارهای حرارتی خود اضافه کند تا کنترل دمای اگزینوس ۲۷۰۰ بهتر شود.
منشأ این ادعاها پستی از حساب Smart Chip Insider در ویبو است؛ منبعی که میگوید فرایند ۲ نانومتری GAA سامسونگ از ۲ نانومتری N2P شرکت TSMC عقب افتاده و همین موضوع دست سازنده کرهای را برای رقابت مستقیم با تراشههای آینده محدود کرده است. بر اساس همین روایت، سامسونگ ناچار شده برای گرفتن برتری مقابل اسنپدراگون ۸ الیت نسل ۶ پرو و Dimensity 9600 به سراغ فناوریهای مکمل برود، نه اینکه فقط به پیشرفت فرایند ساخت اتکا کند.
با این حال همان منبع چندان به موفقیت کامل اگزینوس ۲۷۰۰ خوشبین نیست و معتقد است حتی با وجود این تغییرات، هنوز مشخص نیست تراشه جدید سامسونگ بتواند از رقبای آینده خود عبور کند یا حتی به سطح آنها برسد. البته گزارش تأکید میکند سامسونگ در اگزینوس ۲۶۰۰ پیشرفت قابل توجهی داشته و فاصله آن با گذشته کمتر شده است. به بیان دیگر، مسیر توسعه برای سامسونگ رو به جلو بوده، اما هنوز نشانهای از برتری قطعی در برابر رقبا دیده نمیشود.
در بخش دیگری از گزارش به این نکته اشاره شده که اگر راهکارهای حرارتی سامسونگ واقعاً کارآمد نبودند، کوالکام احتمالاً از آنها در اسنپدراگون ۸ الیت نسل ۶ پرو استفاده نمیکرد؛ ادعایی که به یک افشای قبلی نسبت داده شده است. نمونه فعلی یعنی اگزینوس ۲۶۰۰ هنوز نشان میدهد سامسونگ در بخش فرایند ساخت جای کار زیادی دارد، چون این تراشه زیر بار میتواند تا ۳۰ وات مصرف کند؛ عددی که بیشتر به پردازندههای لپتاپی شباهت دارد تا یک تراشه موبایل.
اگر اگزینوس ۲۷۰۰ هم رفتاری مشابه نسل فعلی داشته باشد، استفاده از سیستمهای خنککننده جدید برای آن دیگر یک انتخاب جانبی نخواهد بود و به ضرورتی فنی تبدیل میشود. از این زاویه، راهبرد سامسونگ فقط به ساخت یک تراشه سریعتر خلاصه نمیشود، بلکه شامل کنترل گرما و حفظ توان پردازشی در بازههای طولانی هم هست. در نتیجه موفقیت یا شکست اگزینوس ۲۷۰۰ احتمالاً نهفقط به قدرت خام، بلکه به میزان بهبود راندمان ۲ نانومتری و اثربخشی این راهکارهای حرارتی گره خورده است.
