شرکت چینی CXMT تولید انبوه LPDDR6 را از سپتامبر آغاز میکند، البته با یک مانع بسیار بزرگ
شرکت چینی CXMT قرار است از سپتامبر تولید انبوه حافظههای LPDDR6 را آغاز کند؛ اتفاقی که میتواند این شرکت را به نخستین تولیدکننده DRAM نسل بعد در مرحله تولید انبوه تبدیل کند. با این حال نشانههای موجود حاکی از آن است که ظرفیت تولید CXMT محدود خواهد بود. LPDDR6 فعلاً برای شیائومی ۱۸ فولد در نظر گرفته شده؛ محصولی که احتمالاً کمتر از ۵۰۰ هزار دستگاه عرضه خواهد شد.
CXMT با سرعت بخشیدن به توسعه و تولید LPDDR6 توانسته است در مراحل اولیه، سفارشهای طراحی از چند سازنده بزرگ چینی از جمله شیائومی و هواوی دریافت کند. این موفقیت در حالی به دست آمده که CXMT در فهرست نهادهای محدودشده آمریکا قرار دارد و توانایی این شرکت برای حرکت سریعتر از سامسونگ، SK hynix و Micron در فناوری DRAM نسل بعد، میتواند توجه مشتریان خارجی را نیز جلب کند.
با وجود این پیشرفت، میزان تولید مسئله مهمی برای CXMT خواهد بود و طبق اخبار منتشرشده، LPDDR6 بهطور اختصاصی در شیائومی ۱۸ فولد استفاده میشود؛ گوشی تاشوی عریضی که برای رقابت با آیفون اولترا و گلکسی Z فولد ۸ آماده میشود. از سوی دیگر، The Next Web برآورد کرده است که تراشه XRING 03 در مجموع به بیش از ۳۰۰ هزار دستگاه راه پیدا نخواهد کرد.
محدود بودن عرضه شیائومی ۱۸ فولد میتواند نشانهای از وجود گلوگاه در بخش تولید باشد؛ زیرا پیچیدگی ساخت گوشیهای تاشوی عریض باعث میشود شیائومی نیز سفارشهای بسیار بزرگی ثبت نکند. با این حال اگر محدودیت از سمت CXMT باشد، پرسش مهم این است که چرا شیائومی به جای LPDDR6 از LPDDR5X استفاده نمیکند، قیمت بالای این پرچمدار تاشو احتمالاً استفاده از حافظه جدید را توجیه میکند.
از سوی دیگر فرآیند ساخت ۳ نانومتری N3P تراشه XRING 03 ظاهراً مانعی برای تأمین سفارشهای شیائومی ایجاد نمیکند و مشکل اصلی میتواند تولید حافظه در حجم بالا باشد. محدودیتهای تجاری سختگیرانه آمریکا توان CXMT برای افزایش تولید همراه با حفظ بازده مناسب را کاهش دادهاند چرا که این شرکت مانند هواوی، ناچار است از تجهیزات قدیمیتر DUV و تکنیکهای پیچیده چندالگویی استفاده کند.
استفاده از تجهیزات DUV و چندالگویی، هزینه تولید را افزایش میدهد و بازده ساخت را پایین میآورد؛ موضوعی که میتواند افزایش سریع ظرفیت LPDDR6 را برای CXMT دشوار کند. اگرچه سبقت این شرکت از سامسونگ، SK hynix و Micron در تولید DRAM نسل بعدی دستاورد مهمی محسوب میشود، آزمون اصلی CXMT افزایش حجم تولید خواهد بود؛ جایی که سه رقیب بزرگ میتوانند فاصله خود را سریعتر کاهش دهند.
