کاهش قیمت حافظه؟ سندیسک تراشههای حافظه 3D Matrix را روی ویفر ۳۰۰ میلیمتری ساخت
سندیسک نخستین تراشههای آزمایشی فناوری حافظه سهبعدی 3D Matrix Memory را روی ویفرهای سیلیکونی استاندارد ۳۰۰ میلیمتری تولید کرده است؛ گامی که نشان میدهد این پروژه تحقیقاتی وارد مرحله ساخت نمونههای واقعی شده است. نمونههای بستهبندیشده اکنون در حال آزمایش هستند و به گفته شرکت، آرایههای حافظه چندگیگابیتی ساختهاند و عملکردشان نیز به مشخصات هدف محصول نهایی نزدیک شده است.
3D Matrix Memory از سال ۲۰۱۷ با هدف ارائه جایگزینی متفاوت برای DRAM در دست توسعه است و برخلاف حافظههای متداول، ساختاری سهبعدی دارد. SanDisk انتظار دارد این فناوری در صورت رسیدن به محصول نهایی، عملکردی مشابه DRAM ارائه کند، اما ظرفیت آن میتواند تا چهار برابر بیشتر باشد. هدف دیگر شرکت، کاهش هزینه بهازای هر بیت به نصف هزینه DRAM سنتی است.
نمونههای فعلی بر پایه پلتفرم آزمایشی ساخته شدهاند که SanDisk سال گذشته با همکاری Imec توسعه داد و این شرکت پس از آن، فرایند رویهمگذاری چندین لایه حافظه و ساخت نمونههای اولیه روی ویفرهای ۳۰۰ میلیمتری را آغاز کرد. تراشههای تولیدشده اکنون بستهبندی شدهاند تا آزمایشهای بیشتری روی آنها انجام شود و عملکرد و ظرفیت معماری جدید در شرایط مختلف ارزیابی شود.
SanDisk میگوید آزمایشهای انجامشده تاکنون به ساخت آرایههای حافظه فعال با ظرفیت چند گیگابیت منجر شده و سطح عملکرد نمونهها نیز فاصله کمی با مشخصات تعیینشده برای محصول احتمالی نهایی دارد. با وجود این پیشرفت، شرکت هنوز زمان مشخصی برای عرضه تجاری اعلام نکرده است. آلپر ایلکباهار، مدیر ارشد فناوری SanDisk، تأکید کرده که 3D Matrix Memory همچنان پروژهای بلندمدت است.
نقشه راه جدید SanDisk جزئیات زیادی درباره ادامه مسیر ارائه نمیکند و در نقشه راه قبلی، این شرکت نمونههایی با ظرفیت ۳۲ تا ۶۴ گیگابیت را هدف گرفته بود، اما برنامه زمانی مشخصی برای عرضه آنها اعلام نشده بود. بنابراین، 3D Matrix Memory فعلاً بیشتر یک پروژه تحقیقاتی محسوب میشود تا فناوریای که بتواند در آینده نزدیک جایگزین DRAM شود؛ هرچند ساخت نمونههای چندلایه روی ویفر استاندارد، پیشرفت مهمی است.
SanDisk همزمان روی فناوری حافظه دیگری با نام High Bandwidth Flash یا HBF کار میکند که برخلاف 3D Matrix Memory بهدنبال معرفی معماری کاملاً جدیدی نیست. در HBF، تراشههای NAND معمولی روی یکدیگر قرار میگیرند تا پهنای باند افزایش یابد. این پروژه به تجاریسازی نزدیکتر است؛ نخستین طراحی HBF مرحله Tape-out را پشت سر گذاشته و نمونههای آن برای اعتبارسنجی در سال آینده عرضه خواهند شد.
