سامسونگ از zHBM و V10 BV-NAND رونمایی کرد؛ از تکان زیرساخت AI تا حافظه ۴۰۰ لایه
سامسونگ در رویداد FMS 2026 از سه فناوری جدید در حوزه حافظه و ذخیرهسازی رونمایی کرد که میتوانند نقش مهمی در نسل آینده شتابدهندههای هوش مصنوعی داشته باشند. مهمترین آنها zHBM است؛ فناوریای که حافظه HBM را بهجای قرار گرفتن در کنار تراشه پردازشی، مستقیماً روی شتابدهنده هوش مصنوعی قرار میدهد. این شرکت همچنین از zNAND-O و V10 BV-NAND نیز پرده برداشت که هر دو با هدف افزایش کارایی و ظرفیت توسعه یافتهاند.
سامسونگ اعلام کرد معماری جدید zHBM علاوه بر آزاد کردن فضای بیشتر روی برد، مسیر انتقال داده میان حافظه و پردازنده را کوتاهتر میکند و به همین دلیل میتواند پهنای باند بالاتر و بهرهوری انرژی بیشتری ارائه دهد. به گفته این شرکت، zHBM در مقایسه با راهکار متداول HBM5 تا ۸ برابر عملکرد بیشتر، بیش از ۱۰ برابر چگالی حافظه بالاتر و ۳ برابر بهرهوری انرژی بهتر فراهم میکند و مقاومت حرارتی را نیز بیش از نصف کاهش میدهد.
این فناوری هنوز در مرحله مفهومی قرار دارد و سامسونگ به همین دلیل جزئیات فنی بیشتری از آن منتشر نکرده است و بااینحال، شرکت تأکید میکند zHBM از طراحیهای سفارشی متناسب با نیاز مشتریان پشتیبانی خواهد کرد و هماکنون نیز با شرکای خود برای بهینهسازی نحوه یکپارچهسازی آن در شتابدهندههای هوش مصنوعی نسل آینده همکاری میکند تا این فناوری برای استفاده روی تراشههای واقعی آماده شود.
فناوری دیگری که سامسونگ معرفی کرد zNAND-O نام دارد؛ یک راهکار NAND نسل جدید با عملکرد بالا که بر پایه V-NAND توسعه یافته است. این فناوری در نسخههای ۴ و ۸ لایه عرضه خواهد شد و با ترکیب بهرهوری بهتر از فضای ذخیرهسازی، عملکرد سریعتر ورودی و خروجی و تأخیر کمتر، برای کاربردهای هوش مصنوعی لبه طراحی شده است. سامسونگ مشخص نکرد که آیا این فناوری همان V-NAND چندپشتهای مورد انتظار برای حدود سال ۲۰۳۰ است یا خیر.
سامسونگ همچنین از V10 BV-NAND بهعنوان نخستین معماری V-NAND خود با فناوری Hybrid Bonding رونمایی کرد؛ معماریای که تعداد لایههای NAND را به بیش از ۴۰۰ لایه میرساند. در این روش، بهجای ساخت یک سلول با لایههای متراکمتر، سلولهای حافظه با استفاده از فناوری اتصال هیبریدی روی یکدیگر قرار میگیرند. نتیجه این طراحی افزایش ۵۸ درصدی چگالی حافظه نسبت به V9 NAND و همچنین بهبود عملکرد خواندن، نوشتن و ورودی و خروجی در مقایسه با نسل قبل است.
سامسونگ در پایان اعلام کرد توسعه فناوری Hybrid Bonding را به حافظههای بیش از ۱۰۰۰ لایه نیز گسترش خواهد داد و V10 BV-NAND آغاز این مسیر به شمار میرود. این شرکت انتظار دارد طی سالهای آینده ظرفیت محصولات SSD و دیگر راهکارهای ذخیرهسازی خود بهسرعت افزایش یابد. همزمان، سبد محصولات حافظه سامسونگ نیز با فناوریهایی مانند zHBM، HBM4E، HBM5، GDDR7 و نسلهای بعدی با سرعت بیشتری توسعه خواهد یافت.
