اولین حافظه‌ی ۳۲۱ لایه‌ای با ظرفیت دو ترابیت به خط تولید پیوست، تیر خلاص SK hynix به سامسونگ
شرکت SK hynix تولید انبوه QLC NAND با ۳۲۱ لایه و ظرفیت ۲ ترابیت (۲۵۶ گیگابایت) را آغاز کرده که ادعا می‌شود نخستین محصول QLC است که از ۳۰۰ لایه فراتر رفته. اولین محصولات تجاری برای نیمه اول سال آینده برنامه‌ریزی شده‌اند، پس از تأیید مشتریان.
این شرکت ظرفیت هر die را نسبت به نسل‌های قبلی QLC دو برابر کرده و تعداد plane داخل هر چیپ را از چهار به شش افزایش داده است. افزایش تعداد planeها امکان پردازش موازی بیشتر را فراهم می‌کند که باعث افزایش قابل توجه عملکرد خواندن همزمان بدون کاهش latency می‌شود. SK hynix ادعا می‌کند که QLC جدید سرعت انتقال داده‌ها را دو برابر کرده، عملکرد نوشتن را تا ۵۶ درصد و عملکرد خواندن را ۱۸ درصد افزایش داده و بهره‌وری انرژی در نوشتن بیش از ۲۳ درصد بهبود یافته است که برای دیتاسنترهای هوش مصنوعی با محدودیت انرژی اهمیت دارد.
از نظر رابط کاربری، این V9Q die با سرعت ۳۲۰۰ مگا ترنسفر در ثانیه عمل می‌کند که کمی کمتر از TLC NAND سطح بالا با ۳۶۰۰ مگا ترنسفر در ثانیه است؛ اما بهبودهای معماری باعث افزایش قابل توجه عملکرد در بارهای کاری QLC شده. معماری شش پلانی کلیدی‌ترین پیشرفت است و دلیل اصلی افزایش سرعت خواندن همزمان به شمار می‌رود.
چگالی بالا مزایای بیشتری هم دارد. یک SSD کلاینت ۲ ترابایتی می‌تواند تنها با هشت عدد از این dieهای ۲ ترابیتی ساخته شود، که باعث کاهش تعداد پکیج و هزینه مواد اولیه می‌شود. SK hynix قصد دارد ابتدا با SSDهای PC شروع کرده و سپس پس از تأیید، به SSDهای سازمانی برای دیتاسنترها و UFS برای گوشی‌ها گسترش دهد.
برای ظرفیت‌های فوق‌العاده بالا، شرکت از پکیج 32DP استفاده می‌کند که می‌تواند ۳۲ die را در یک پکیج انباشته کند تا بیشترین چگالی یکپارچه‌سازی را ارائه دهد. SK hynix به درایوی سازمانی در حال توسعه اشاره می‌کند که هدف آن کلاس ۲۴۴ ترابایتی است و برای سرورهای هوش مصنوعی طراحی شده که نیاز به ظرفیت ذخیره‌سازی بسیار بالا با مصرف انرژی بهینه برای پیاده‌سازی در دیتاسنتر دارند.
