جهش بزرگ SK Hynix در حافظه‌های پیشرفته؛ استفاده از شش لایه EUV در فناوری 1c DRAM

حرکت جسورانه SK hynix در حافظه‌های نسل جدید؛ استفاده کامل از شش لایه EUV در 1c DRAM

به‌نظر می‌رسد SK hynix اقدامات اخیر سامسونگ در زمینه‌ی 1c DRAM را بسیار جدی گرفته، زیرا انتظار می‌رود این شرکت کره‌ای نخستین بازیگری باشد که فناوری یادشده را با استفاده از شش لایه EUV ارتقا می‌دهد (به‌نقل از ZDNet Korea) و استانداردهای جدیدی را در بازار تعیین می‌کند. این اقدام قرار است راه‌حل‌های مصرفی و HBM شرکت را تقویت کرده و مهم‌تر از آن، مسیر را برای گذار به نسل بعدی فناوری DRAM هموار کند؛ نسلی که احتمالاً از تکنیک‌های High-NA EUV بهره خواهد برد.

برای کسانی که با EUV آشنایی ندارند، استفاده از این فناوری معمولاً فرآیندی پیچیده است، زیرا طول‌موج 13.5 نانومتری آن برای پیچیده‌ترین مدارها طراحی شده تا بتواند با کاهش مراحل چندالگویی، جزئیات ظریف‌تری را چاپ کند. به‌طور سنتی، در فناوری DRAM ترکیبی از لایه‌های EUV و DUV به‌کار می‌رفت، اما اکنون SK hynix قصد دارد در 1c DRAM به‌طور کامل به شش لایه EUV روی بیاورد و این امکان را فراهم کند که محصولات با بازدهی بالاتر، عملکرد بهتر و حاشیه سود بیشتر تولید شوند.

جالب اینجاست که 1c DRAM هنوز در هیچ راه‌حل معمول حافظه مصرفی استفاده نشده، اما SK hynix در حال بررسی گزینه‌ها است و ممکن است به‌زودی شاهد عرضه‌ی ماژول‌های DDR5 با ظرفیت‌های بیشتر باشیم. این سرمایه‌گذاری در EUV، رویکردی بلندمدت از سوی این سازنده محسوب می‌شود، چرا که در محصولات نسل بعدی مانند 1d و 0a DRAM، برنامه دارد EUV را به بخش جدایی‌ناپذیر فناوری‌های خود تبدیل کند و در نهایت، امکان ادغام High-NA EUV را که هم‌اکنون روی آن کار می‌کند، فراهم آورد.

ادغام EUV این امکان را می‌دهد که SK hynix ماژول‌های DDR5 متراکم‌تر، سریع‌تر و کم‌مصرف‌تر و پشته‌های HBM با ظرفیت بالاتر را با بازدهی بهبود‌یافته عرضه کند. با توجه به این‌که پیش‌بینی می‌شود 1c DRAM ورود اصلی خود را با HBM4 داشته باشد، می‌توان انتظار پیشرفت چشمگیری در عملکرد آینده داشت.