حافظه DRAM موبایل با هدایت حرارتی بهبود یافته؛ SK hynix راهی برای تقویت هوش مصنوعی روی دستگاه‌ها باز می‌کند

تولیدکنندگان حافظه و DRAM موبایل در حال تحقیق روی راه‌هایی هستند تا چیپ‌های سریع‌تر و بهینه‌تری عرضه کنند، به‌گونه‌ای که عملکرد هوش مصنوعی روی دستگاه بهبود یابد و مشکلات کاهش کارایی (throttling) فناوری‌های کنونی جبران شود. شرکت SK hynix، که از لحاظ فناوری تولید حافظه از سامسونگ پیشی گرفته، اعلام کرده است که عرضه نسخه جدیدی از DRAM موبایل را آغاز کرده که از «Molding Compound» برای اولین بار در صنعت  بهره می‌برد و هدف آن مقابله با داغ شدن گوشی‌هاست. این شرکت ادعا می‌کند که هدایت حرارتی چیپ‌های حافظه جدید تا ۳۵۰ درصد بهبود یافته است.

با بهبودهایی که SK hynix در DRAM موبایل جدید خود برجسته کرده، این شرکت می‌گوید که مقاومت حرارتی در منبع عمودی گرما ۴۷ درصد افزایش یافته است. روی برخی بردهای منطقی، DRAM موبایل روی تراشه اصلی (chipset die) قرار می‌گیرد و در بارهای کاری شدید، گرمای اضافی می‌تواند باعث کاهش عملکرد شود. اکثر تولیدکنندگان گوشی‌های هوشمند این طراحی را انتخاب می‌کنند چون فضای بیشتری آزاد می‌شود و انتقال داده بین DRAM و تراشه اصلی سریع‌تر انجام می‌شود، چرا که فاصله انتقال داده کمتر است.

با استفاده از این ماده جدید، شرکت می‌گوید گوشی‌هایی که به این چیپ‌های حافظه مجهز هستند، انتظار می‌رود عمر باتری بهتری داشته باشند و عملکرد بهبود یابد. رئیس بخش توسعه محصولات Package در این شرکت، Lee Gyu-jei، استفاده از High-K Epoxy Molding Compound را یک «دستاورد معنادار» خوانده و بیان کرده که این روش بسیاری از مشکلاتی را که کاربران گوشی‌های پرچم‌دار با آن مواجه بودند، حل خواهد کرد.

بر اساس گزارش The Korea Herald، اس کی هاینیکس اعلام کرده که راهی برای بهبود هدایت حرارتی یافته است؛ با افزودن آلومینا (Alumina) به سیلیکا (Silica). با اضافه کردن این ترکیب جدید به Epoxy Molding Compound، انتقال حرارت بهتر میسر شده است. هنوز زمان مشخصی برای عرضه عملی این DRAM موبایل‌ها اعلام نشده، اما جای تعجب نخواهد بود اگر گوشی‌های پرچم‌دار سال ۲۰۲۶ از این فناوری استفاده کنند.