اگزینوس ۲۶۰۰ با فناوری HPB وعده پایان استفاده از فنهای سفارشی در گوشیهای هوشمند را میدهد
سامسونگ از فناوری HPB در تراشه اگزینوس ۲۶۰۰ رونمایی کرده که هدف آن کاهش مقاومت حرارتی و بهبود دفع گرما است. این فناوری توجه زیادی را به خود جلب کرده و شایعات حاکی از آن است که حتی در نقشههای شماتیک تراشه اسنپدراگون ۸ الیت نسل ۶ پرو نیز از آن استفاده شده. این اتفاق میتواند جایگزینی برای فنهای سفارشی باشد که برخی تولیدکنندگان برای کنترل دما به گوشیهای خود اضافه میکنند.
کاربران مدتهاست با صدای مزاحم فنهای سفارشی مشکل داشتهاند. بر اساس اطلاعات منتشرشده توسط یک منبع در Weibo، فناوری Heat Pass Block میتواند بازدهی دفع حرارت را تا ۲۰ درصد افزایش دهد. همچنین گزارشهای قبلی این منبع نشان میدهد که این سیستم به تراشهها اجازه میدهد تا فرکانسهای بالای ۵.۰۰ گیگاهرتز را در نسل بعدی تراشهها تجربه کنند.
این فناوری به ویژه برای کوالکام اهمیت دارد، چرا که این شرکت در حال پیشروی با طراحیهای SoC خود برای افزایش فرکانس و بهبود امتیازهای تکهستهای و چند هستهای است. برای مثال، اسنپدراگون ۸ الیت نسل ۵ برای سری Galaxy انتظار میرود که فرکانس هستههای عملکردی آن به ۴.۷۴ گیگاهرتز برسد، که طبیعتاً باعث تولید حرارت بیشتر میشود و نیاز به راهکارهای پیشرفتهتر را پررنگتر میکند.
برخی شرکتها مانند ردمجیک برای مقابله با گرمای تراشهها، فنهای سفارشی در گوشیهای خود نصب کردهاند، اما تجربه کاربران نشان میدهد این فنها میتوانند مزاحم باشند. حتی با وجود این فنها، تراشه پرچمدار کوالکام در شرایط استفاده سنگین هنوز دمای نسبتاً بالایی دارد که میتواند عملکرد و تجربه کاربری را تحت تأثیر قرار دهد.
به عنوان نمونه، در مقایسه گرافیکی و نرخ فریم بازی Tomb Raider 2013، آیفون ۱۷ پرومکس با تراشه A19 پرو دمای ۳۹ درجه سانتیگراد داشت، در حالی که اسنپدراگون ۸ الیت نسل ۵ دمای ۴۷ درجه سانتیگراد را ثبت کرد. این اختلاف نشاندهنده نیاز به راهکارهای کارآمدتر برای مدیریت حرارت در تراشههای پرقدرت است تا عملکرد بهینه بدون افزایش دما حفظ شود.
روش کار فناوری HPB بسیار ساده و در عین حال مؤثر است؛ این فناوری بهطور مستقیم یک هیتسینک روی die تراشه قرار میدهد تا انتقال حرارت بهتر انجام شود. از آنجا که حافظه DRAM روی تراشه نیز گرما تولید میکند، در طراحیهای قدیمی فضای حرارتی محدودی برای عملکرد کامل SoC وجود داشت، که HPB این محدودیت را برطرف کرده.
با وجود وعدههای مطرح شده، هنوز دادههای واقعی از عملکرد این فناوری در شرایط عملی موجود نیست. کارشناسان توصیه میکنند تا زمانی که آزمایشهای عملی منتشر نشده، نمیتوان با قطعیت گفت که گوشیهای هوشمند پرقدرت دیگر نیازی به فنهای اضافی ندارند، اما این فناوری نویدبخش راهکاری پیشرفته برای مدیریت حرارت تراشههاست که میتواند مسیر طراحی گوشیهای آینده را تغییر دهد.
