فرایند ۲ نانومتری شرکت Rapidus احتمالاً با TSMC N2 در تراکم لاجیک رقابت می‌کند و با اختلاف از روی اینتل 18A رد می‌شود
شرکت ژاپنی Rapidus در حال پیشرفت با فرایند ۲ نانومتری خود است و برای اولین بار، تراکم لاجیک این نود گزارش شده که ظاهراً با نود N2 شرکت TSMC برابری می‌کند. Rapidus ممکن است در رقابت ۲ نانومتری با TSMC وارد میدان شود، چون به تراکم لاجیک مشابه دست یافته است
Rapidus در ماه‌های اخیر محبوبیت زیادی به دست آورده، زیرا این شرکت به‌عنوان پیشروترین نهاد نیمه‌هادی در ژاپن شناخته می‌شود. حتی NVIDIA نیز علاقه‌مندی خود را نشان داده است. این شرکت در حال آماده‌سازی نود ۲ نانومتری پیشرفته خود با نام 2HP است و طبق اطلاعاتی که توسط @Kurnalsalts منتشر شده، مشخص شده که 2HP دارای تراکم لاجیک مشابه TSMC N2 بوده و مهم‌تر اینکه با اختلاف زیادی از Intel 18A جلوتر است. این موضوع نشان می‌دهد که نود Rapidus می‌تواند به یکی از رقابتی‌ترین فرایندها تبدیل شود و به‌عنوان یک «ورود غافلگیرکننده» در صنعت نیمه‌هادی ظاهر گردد.
اطلاعات منتشر شده نشان می‌دهد که Rapidus 2HP تراکم لاجیکی معادل ۲۳۷.۳۱ میلیون ترانزیستور در هر میلی‌متر مربع (MTr/mm²) خواهد داشت که تقریباً برابر با ۲۳۶.۱۷ MTr/mm² گزارش‌شده برای TSMC N2 است. همچنین، کتابخانه سلولی (cell library) استفاده‌شده برای دستیابی به این تراکم معرفی شده است؛ شامل یک کتابخانه HD (High Density) با ارتفاع سلول ۱۳۸ واحد، روی pitch یا فاصله‌بندی G45. با توجه به اینکه هر دو نود N2 و 2HP در یک محدوده قرار دارند، نشان‌دهنده این است که هر دو از سلول‌های HD بهره می‌برند که هدفشان بیشینه‌سازی تراکم لاجیک است و احتمالاً شمار ترانزیستور مشابهی در راه‌حل نهایی خواهند داشت.
با وجود اینکه نود Intel 18A اندازه کوچک‌تری دارد، تراکم آن حدود ۱۸۴.۲۱ MTr/mm² اعلام شده. دلیل اصلی این موضوع استفاده از کتابخانه‌های HD برای ارزیابی 18A است، اما نکته مهم‌تر این است که با استفاده از BSPDN، اینتل بخشی از لایه‌های فلزی سمت جلو را اشغال می‌کند و همین امر باعث کاهش عدد تراکم در اندازه‌گیری کتابخانه HD می‌شود. از آنجا که تمرکز اصلی اینتل روی معیار کارایی بر وات (Performance/Watt) است، دستیابی به تراکم بالاتر هدف نهایی این شرکت نیست، به‌خصوص که 18A بیشتر برای استفاده داخلی طراحی شده.
اکنون، اعداد مربوط به تراکم 2HP Rapidus نشان می‌دهد که این شرکت گام‌های بزرگی در صنعت نیمه‌هادی برداشته است. مهم‌تر از همه، شرکت ژاپنی از پردازش جلویی تک-ویفر (Single-Wafer Front-End Processing) استفاده کرده که یک پیاده‌سازی منحصربه‌فرد است و روی تنظیمات در تولید محدود تمرکز دارد و سپس این بهبودها را برای مقیاس‌های بزرگ‌تر اعمال می‌کند. کیت طراحی فرآیند (PDK) نود ۲ نانومتری این شرکت در سه‌ماهه اول سال ۲۰۲۶ در اختیار مشتریان قرار خواهد گرفت و براساس اطلاعات اولیه، این نود بسیار امیدوارکننده به نظر می‌رسد.
