تصویر واقعی اسنپدراگون ۸ الیت نسل ۶ پرو با طراحی متفاوت و خنککننده جدید فاش شد
تصویر واقعی منتسب به تراشه اسنپدراگون ۸ الیت نسل ۶ پرو، طراحی متفاوت این تراشه پرچمدار را آشکار کرده است؛ جایی که حافظه DRAM دیگر روی تراشه اصلی قرار نمیگیرد و به بخش کناری منتقل میشود. این تغییر، همراه با استفاده از هیتسینک برای خنککردن حافظه، باعث شده سطح کلی مجموعه بسیار بزرگتر از اسنپدراگون ۸ الیت نسل ۵ به نظر برسد و تمرکز کوالکام بر کنترل حرارت را نشان دهد.
در طراحی جدید معماری سنتی PoP یا Package-on-Package کنار گذاشته خواهد شد و DRAM بهجای قرارگرفتن روی سطح تراشه، در کنار آن جای میگیرد. تصویر منتشرشده توسط حساب کاربری @LaidBackDev_ این چیدمان را در یک نمونه واقعی نشان میدهد. چنین تغییری از یک سو امکان خنککاری مستقیمتر حافظه را فراهم میکند و از سوی دیگر، سازندگان گوشی را ناچار خواهد کرد فضای داخلی و چیدمان برد دستگاه را دوباره مهندسی کنند.
وجود عبارتهای SM8975 و 101-BC روی نمونه موردنظر نیز نکته دیگری است که از این طراحی قابل مشاهده است. بر اساس اطلاعات منبع، این نسخه از تراشه از حافظه LPDDR5X پشتیبانی میکند و خبری از LPDDR6 در آن نیست؛ بنابراین با وجود تغییر معماری حرارتی، دستکم این نمونه برای استفاده از نسل سریعتر و کممصرفتر حافظه طراحی نشده است، ابعاد بزرگتر نیز لزوماً به معنی بزرگترشدن خود بخش سیلیکون نیست.
قرارگرفتن DRAM در کنار تراشه و افزودن هیتسینک میتواند فضای حرارتی بیشتری برای اسنپدراگون ۸ الیت نسل ۶ پرو ایجاد کند تا پردازنده مرکزی و گرافیکی، کلاکهای بالاتری را برای مدت طولانیتری حفظ کنند. در چنین شرایطی مزیت اصلی این طراحی میتواند پایداری عملکرد در بارهای سنگین باشد، نه صرفاً ثبت امتیازهای بالا در بنچمارکهایی که تنها چند دقیقه اجرا میشوند.
در کنار طراحی جدید استفاده از فرآیند ساخت ۲ نانومتری N2P شرکت TSMC نیز میتواند در کاهش مصرف انرژی کلی تراشه نقش داشته باشد؛ با این حال میزان اثرگذاری آن هنوز مشخص نیست. برای ارزیابی واقعی این تغییرات باید منتظر نخستین بنچمارکهای Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro ماند.
