اپل در A20 پرو از معماری ساید بای ساید سامسونگ و خنکسازی جدید الهام میگیرد
گزارشها نشان میدهد اپل در تراشه A20 پرو رویکردی تازه در طراحی بستهبندی نیمههادی اتخاذ کرده و از اصول معماری ساید بای ساید،سامسونگ الهام گرفته است. این تراشه از بستهبندی WMCM استفاده میکند که DRAM را در کنار دای اصلی قرار میدهد و در عین حال، یک محفظه بخار برای مدیریت حرارت بهطور مستقیم با سطح دای در تماس قرار میگیرد.
در معماری اگزینوس ۲۶۰۰ سامسونگ، یک تغییر مهم نسبت به ساختارهای رایج دیده میشود؛ در این طراحی، DRAM روی بخشی از پردازنده اصلی قرار میگیرد و در کنار آن یک هیتسینک مبتنی بر مس با نام Heat Path Block یا HPB تعبیه شده است تا انتقال و دفع حرارت به شکل بهینهتری انجام شود در سطح تراشه به کار میرود.
با معرفی اگزینوس ۲۷۰۰، سامسونگ به سمت معماری FOWLP-SbS حرکت کرده؛ در این ساختار، DRAM در کنار پردازنده اصلی قرار میگیرد و یک هیتپلاک بزرگتر HPB طراحی شده که هم دای پردازنده و هم DRAM را پوشش میدهد و هدف آن افزایش چشمگیر کارایی دفع حرارت و بهبود عملکرد حرارتی کلی تراشه است در این نسل جدید.
در سوی دیگر، اپل برای A20 پرو از بستهبندی WMCM با رویکرد چیپلت استفاده کرده؛ این معماری امکان ترکیب چندین دای مستقل مانند CPU، GPU و موتور عصبی را در یک پکیج واحد فراهم میکند و انعطافپذیری بالایی در چینش و پیکربندی تراشهها ایجاد کرده که میتواند برای نسلهای مختلف محصولات کاربردی باشد در محصولات آینده اپل استفاده شود.
تفاوت اصلی میان دو رویکرد در بخش مدیریت حرارت دیده میشود؛ در حالی که در طراحی سامسونگ هیتپلاک HPB کل مجموعه شامل DRAM و دای پردازنده را پوشش میدهد، در A20 پرو اپل بر اساس اطلاعات منتشرشده، محفظه بخار تنها با سطح دای در تماس مستقیم قرار دارد و DRAM از این مسیر خنکسازی بهصورت مستقیم بهرهمند نمیشود.
